PHS-memory 16GB (2x8GB) Kit RAM Speicher für Gigabyte GA-H170-Gaming 3 (rev. 1.0) DDR4 UDIMM 2133MHz (Gigabyte GAMING 3 GA-H170 (rev. 1.0), 2 x 8GB), RAM Modellspezifisch

Produktbeschreibung

Der PHS-memory 16GB (2x8GB) Kit RAM Speicher ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-H170-Gaming 3 (rev. 1.0) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für anspruchsvolle Anwendungen. Mit einer Speicherkapazität von insgesamt 16 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 8 GB, ermöglicht dieser DDR4 UDIMM RAM eine effiziente Datenverarbeitung und verbessert die Gesamtleistung des Systems. Die Taktfrequenz von 2133 MHz sorgt für eine schnelle und reibungslose Ausführung von Programmen und Spielen. Der unbuffered RAM ist ideal für Benutzer, die eine direkte Kommunikation zwischen dem Speicher und der CPU benötigen, was die Reaktionszeiten verkürzt und die Systemstabilität erhöht. Mit einer Spannung von 1,2 Volt ist dieser Arbeitsspeicher energieeffizient und trägt zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei, ohne die Leistung zu beeinträchtigen. - Kompatibel mit Gigabyte GA-H170-Gaming 3 (rev. 1.0) - DDR4-RAM mit 2133 MHz Taktfrequenz - Unbuffered Design für verbesserte Systemleistung - Energieeffizient mit 1,2 Volt Betriebsspannung.